今天研习的内容来自于午后的一则消息：天眼查显示，华为技术有限公司“半导体封装”专利公布，申请公布日为10月31日，申请公布号为CN116982152A。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体封装，该半导体封装包括：第一衬底、半导体芯片、引线框和密封剂。该密封剂的下主面包括在第一平面中延伸的第一部分、在第二平面中延伸的第二部分、在该第一平面与该第二平面之间的第一过渡区中延伸的第三部分，以及在该第二平面与至少一个引线之间的第二过渡区中延伸的第四部分。该密封剂的该第一部分和该第一衬底的下主面在相同的第一平面中延伸，该第一平面形成该封装的下散热表面。该密封剂的该第二部分、该第三部分和该第四部分的尺寸被设置为在该密封剂的该第一部分与该至少一个引线之间保持第一预定义最小距离。

重点公司名单如下：

电渡液：强力新材
封装膜：德邦科技
封装胶：飞凯材料、回天新材
封装机：文一科技

此外，我们还得重视行业景气周期反转。具体如下：

10 月26 日，SK 海力士发布 2023 财年第三季度财务报告，第三季度营收为 9.066 万亿韩元（约合 69.1 亿美元），同比下降 17%，环比增长 24%，展望明年，预计 PC、智能手机、服务器市场都将迎来复苏。TrendForce 最新研究显示，2023 年第四季度移动平台 DRAM、NAND 价格将继续上涨，其中 DRAM 合约价预计环比增长 13%~18%，

NAND Flash 如 eMMC、UFS 闪存，环比涨幅约为 10%~15%。经历两年时间的下行周期，以被动元件、数字 SoC、射频、存储、封测、面板为代表的上游领域库存去化基本完成或接近尾声，在手机、PC 补库和 AI 需求拉动下，部分品类价格和稼动率已经率先走出底部，逐渐进入触底回升阶段，相关公司业绩逐渐迎来拐点。其中被动元器件建议重点关注顺络电子、三环集团、洁美科技等，建议关注泰晶科技等；射频芯片重点关注卓胜微，建议关注唯捷创芯等，三季报表现亮眼；存储价格触底回升，建议关注国内存储芯片龙头兆易创新和北京君正；数字 SoC 芯片领域建议关注中科蓝讯、晶晨股份和恒玄科技，也有望受益 AI 入口的爆发；封测环节稼动率逐渐回升，建议关注通富微电、长电科技、甬矽电子等，未来也将受益 AI 芯片带动的先进封装需求爆发。

可重点关注存储芯片、HBM高带宽内存

其中，HBM（High Band width Memory），意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用程序的 DRAM，它的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保存到帧缓存区中，等待 GPU 调用。它采用 3D 堆叠技术，将 DRAM 裸片像摩天大楼一样垂直堆叠，并通过硅通孔（ThroughSiliconVia，简称“TSV”）技术将“每层楼”连接在一起，贯通所有芯片层的柱状通道传输信号、指令、电流，以增加吞吐量并克服单一封装内带宽的限制。

因此，相比传统内存技术，HBM 具有更高带宽、更多 I/O 数量、更低功耗恶化更小尺寸、此外，HBM 朝着不断提高存储容量、带宽、减小功耗和封装尺寸方向升级，目前已升级到 HBM3。从最初的 1GB 存储容量和 128GB/s 带宽的 HBM1 发展到目前的 24GB 存储容量和 819GB/s 带宽。

乘 AI 东风，全球 HBM 需求大幅提升。在 2021 年，HBM 占整体 DRAM 市场规模比重不足1%，主要原因为 HBM 成本高昂，且当时服务器市场中搭载相关 AI 运算卡的比重小于 1%，因此多数存储器仍使用 GDDR5(x)、GDDR6 来支持其算力。进入 2023 年以来，受益 Chatgpt引领的 AIGC （生成式 AI）热潮，HBM 需求迎来爆发。据 Trendforce 研究显示，目前高端 AI服务器 GPU 搭载 HBM 已成为业内主流，预计 2023 年全球 HBM 需求量将同比增长 58%，达 2.9 亿 GB，预计 2024 年将同比增长 30%。

行业竞争格局方面，作为 DRAM 的一种，HBM 目前市场份额被海力士、三星和美光三家企业主导。其中 SK 海力士在 HBM 领域起步较早并处于领先地位。2018 年发布 HBM2，并在2021 年发布全球首款 HBM2，并向英伟达大量供货，目前占据全球约 50%份额；三星从HBM2 开始布局，2016 年量产 HBM2，并于 2021 年 2 月推出 HBM-PIM（存算一体），将内存半导体和 AI 处理器合二为一，2022 年三星表示 HBM3 已量产。由于 HBM 具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快 AI 数据处理速度，更适用于 ChatGPT 等高性能计算场景。基于 HBM 独特优势，各大厂商持续发力 HBM，行业市场空间广阔。

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